京都 セミコンダクター。 Beyond 5Gを見据えキャリア搭載型裏面レンズ集積受光素子で帯域40GHzを実現|株式会社 京都セミコンダクターのプレスリリース

京都セミコンダクターのIPO上場観測

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京都セミコンダクター 開発本部 開発第2G グループマネージャー 太田篤伸 氏 本格的な5G時代が到来した。 ただし、いかに移動体通信を高速・大容量、低遅延、同時多数接続にできても、基地局やデータセンターなどの間をつなぐ光通信網が変わらなければ期待に応える情報システムは実現できない。 移動体通信と光通信網は、歩調を合わせて共に性能を底上げしていく必要があるのだ。 光通信機器の性能を決めるキーデバイスである光信号の受光素子、フォトダイオード(PD)の開発・製造で世界をリードしているのが京セミである。 5G時代の光通信機器への搭載に向けた25GHz~40GHz帯域のPDチップ、さらに信号増幅用TIA(Trans-Impedance Amplifier)など周辺部品を集積した光レシーバー・モジュールを他社に先駆けて開発。 先進的な光通信機器メーカーが求める特性へとカスタム化し、いち早く供給している。 光通信デバイスに特化した 稀有な開発・製造体制 時代の要請に応える光通信デバイスをタイムリーに届けるため、京セミは、数ある半導体メーカーの中でも稀有な開発・製造体制を採っている。 光通信機器に搭載するPDチップの多くは、高周波デバイスの素材としての適性が高い化合物半導体をベースにして作られる。 京セミではこの化合物半導体に注力し、長年にわたって継続的に技術と知見を蓄積してきた。 とくに高速光通信網でデータ伝送用キャリアとして用いられる近赤外光を高感度で受光するInGaAsベースのPDでは、世界の中でも際立った豊富な実績を誇っている。 また一般的に、光通信機器を開発・生産するメーカーは、PDの標準製品を外注して機器に組み込むのではなく、機器に合わせて自社設計したカスタムチップを利用する場合が多い。 このため光通信用PDのサプライヤーには、顧客技術に最適化した特性を備えるデバイスを作り込む技術が求められる。 その点、同社は半導体メーカーとしての規模は小さいながらも、開発ではデバイス構造からプロセス技術、実装技術まで、生産ではチップを作る前工程から後工程まで一貫して自社で行っている。 このため「必然的にエンジニア一人ひとりの役割が広くなり、部門にとらわれずに多様な技術の引き出しを駆使して問題解決策を探ることができます。 こうした体制であるからこそ、先進的光通信デバイスを迅速にカスタム開発できています。 高い開発効率と同時に、エンジニアとしてのやりがいを感じながら開発に取り組めています」と製造本部副本部長兼恵庭製造部部長の西村諭一氏は語る。 加えて、製品を製造する工場の設備と運用体制も、メモリー工場とは異質な、カスタム品の多品種少量生産に最適化した設備と運営体制が整えられている。 現在、京セミでは、2020年度中に30GHzのレシーバー・モジュールを量産する準備を進めている。 たとえ高性能なPDとTIAなど周辺部品を単純に組み合わせたとしても、PDの潜在能力を引き出した使い勝手の良い光レシーバー・モジュールができるわけではない。 そこで同社は、デバイス技術と高周波回路技術をすり合わせることで、モジュール設計を最適化している。 また、高速動作するPDでは受光素子の受光径が小さくなり、光ファイバーからの光を絞り込むためのレンズを搭載することになるが、「レンズをチップ裏面に高精度に加工し、CoC(Chip on Carrier)として実装する技術が必要です。 京セミは、こうした光学系の設計・加工技術を持つ国内屈指のメーカーです」と開発本部開発第1G グループマネージャーの磯村尚友氏は語る。

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株式会社オリナス 京都セミコンダクター

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新代表取締役社長 兼 CEO 高橋 恒雄の略歴 1983年 武蔵工業大学大学院 電気工学修了。 インテル株式会社 取締役、フリースケール・セミコンダクタ・ジャパン株式会社 代表取締役社長、ルネサスエレクトロニクス株式会社 常務執行役員 兼 Chief Sales and Marketing Officer を歴任。 2020年1月 当社取締役就任。 神奈川県生まれ。 61歳。 2020年4月1日付 役員体制 5. 2本社体制への移行 4月1日より本社機能を拡張し、京都と東京の2本社体制に移行します。 これにより、東京での意思決定の迅速化を図るとともに、特に営業・マーケティング機能を強化して、既存のお客様へのサポート体制、および、より多くのお客様に当社を知っていただく活動を推進します。 東京本社は、東京営業所のある東京都新宿区のオフィスに設置します。 なお、登記上の本店に変更はありません。 京都セミコンダクターは、1980年に光半導体の専業メーカーとして京都で創業しました。 高性能、高精度を誇る光通信向けおよびセンサー向けの半導体を、ユニークなパッケージング技術をもとに日本の自社拠点で前工程から後工程の一貫体制で製造し、世界のお客様に供給しています。 京都セミコンダクターは、世界水準の技術を武器に日本品質のものづくりで、光デバイス・ソリューションをリードします。 その後予告なく変更される場合があります。 あらかじめご了承ください。

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株式会社 京都セミコンダクター 代表取締役社長の交代および新経営体制に関するお知らせ|株式会社 京都セミコンダクターのプレスリリース

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報道関係者各位 2020年6月29日 株式会社京都セミコンダクター Beyond 5G を見据えキャリア搭載型裏面レンズ集積受光素子で帯域 40GHz を実現 ~伝送速度400Gbps対応 KP-H高速フォトダイオード KPDEH12L-CC1Cを開発 2020年11月量産開始~ 創業40年世界水準の技術を武器に日本品質のものづくりで光デバイス・ソリューションをリードする株式会社京都セミコンダクター 代表取締役社長兼CEO高橋恒雄、本社: 京都市伏見区 は、データセンター DC 内、DC間で用いられる4値変調方式 PAM4 注1 を利用する400Gbps伝送システム向けに、40GHzと広い変調帯域を有するインジウムガリウムヒ素フォトダイオード KP-H KPDEH12LC-CC1C を開発しました。 本格的な5G時代、またその先に向けて、拡大を続ける伝送システムの高速化、大容量化への要求に応えます。 2020年11月に量産開始を予定しています。 高速化の実現 40GHzのPD変調帯域を実現するため、PDを搭載するキャリアの厚み,キャリア上に配置される高周波用電極パターンの幅・長さなどを電磁シミュレーションを用いて最適設計しました 注2。 その結果、PDの後段に搭載されるトランスインピーダンスアンプと一体の周波数帯域として400Gbps伝送に必要な世界トップクラスの40GHzを実現しました。 またこの受光素子は通信機器の信頼性試験標準基準である Telcordia GR-468-Core に合格しています。 実装の容易さ KPDEH12LC-CC1Cは高周波的に最適設計されたキャリアに搭載され、光が入射するPD裏面には集光レンズ 注3 が形成されています。 そのため入射光が効率的に光吸収領域に集められ、入射光を供給する光ファイバーとPDの位置合わせが容易になります。 さらに、PDチップは面積的に約2倍の大きさがあるキャリアに搭載されているため、取り扱いも簡単になります。 現在は1レーン(線路)当たりの伝送速度25Gbpsを4つ束ねて100Gbpsとする伝送が主流ですが、さらに,400Gbpsから800Gbpsへの拡大要求が市場に強く有ります。 400Gbpsを実現する方法は、1回の変調当たり従来の倍の4ビットの信号を対応させるPAM4を用いることが米国電気電子学会(IEEE)で規格化されています。 したがって、PD当たりの伝送速度は400Gbps/4レーン/2 PAM4 =50Gbpsとなります。 この伝送速度を実現するPDに必要な伝送帯域は35~40GHzとなります。 KP-H高速フォトダイオード KPDEH12L-CC1C 京都セミコンダクターは、1980 年に光半導体の専業メーカーとして京都で創業しました。 高性能、高精度を誇る光通信向けおよびセンサー向けの半導体を、ユニークなパッケージング技術をもとに日本の自社拠点で前工程から後工程の一貫体制で製造し、世界のお客様に供給しています。 京都セミコンダクターは、世界水準の技術を武器に日本品質のものづくりで、光デバイス・ソリューションをリードします。 jp 注1 4値変調方式 8PAM4:Pulse Amplitude Modulation) 従来の1回の変調に{0, 1}の2ビットの情報を載せる代わりに{0, 1, 2, 3}と4ビットの情報を載せる変調方式。 一回の変調で2倍4ビットの情報量が伝送できます。 注2 キャリア PDが搭載される基板で表面には高い周波数でも減衰が少ないなど高周波特性に優れたパターンが形成されています.キャリアの寸法は0. 6 x 0. 48 x 0. 25t mmです。 注3 集光レンズ 図はPDチップの断面模式図です。 光が入射する面にレンズ加工されています。 この集光作用により光は小さな光吸収層(図の黒太線)に効率的に集光されます。 その後予告なく変更される場合があります。 あらかじめご了承ください。

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